Em đã làm thin film TiO2 phủ trên substrat là thép 316L và trên bản thủy tinh mỏng. Chỉ cần dùng dip-coating (nhúng substrat vào dd keo của Ti(OH)2 và một số dạng khác). Sau đó nung ở nhiệt độ 400-900° trong 1-2 tiếng là ok, độ bám dính không bao giờ là vấn đề cả. Vấn đề chính là làm sao điều chế được thin film vừa dày mà lại vừa xốp trên substrat thôi (cỡ 1 micromet). Đó là những gì mình đã làm. CÓ lẽ hai hệ TiO2 mình nghiên cứu là khac nhau, tuy nhiên trong quang xúc tác thì vẫn phải làm trên thin film
thay đổi nội dung bởi: nguyencyberchem, ngày 05-19-2006 lúc 03:49 PM.
|