chào anh. anh có thể up lại bài báo này lên được không, đường link cũ bị die rồi. em đang cần tìm hiểu thêm về cơ chế xúc tác quang của TiO2. Cám on anh trước nhá
Có ai có tài liệu nói về tính chất của alkoxide Ti(C4H9O)4 không, chia sẻ cho mình với!
Hôm trước mình tạo alkoxide này bằng cách cho TiCl4 tác dụng với butanol- trong sản phẩm tạo thành, nồng HCl có mặt là rất lớn không thể đuổi hết đi được. Ai có cách nào để loại HCl trong trường hợp này không? (mình dùng khí N2 để đuổi HCl trong quá trình xảy ra phản ứng)
chào anh. anh có thể up lại bài báo này lên được không, đường link cũ bị die rồi. em đang cần tìm hiểu thêm về cơ chế xúc tác quang của TiO2. Cám on anh trước nhá
Anh Nguyên và mọi người ơi, em đang làm seminar về việc biến tính TiO2 từ vùng UV về vùng VIS. Trong bài báo của ông Masakazu Anpo, ông ta sử dụng phương pháp metal ion-implanted TiO2 để chuyển hoạt tính của xúc tác về vùng VIS, cụ thể là V4+ - implanted TiO2 sau đó nung với O2 ở 723K và chụp phổ UV thì thấy mũi hấp thu đã dịch chuyển về phia sóng dài, chứng tỏ hoạt tính của TiO2 trong vùng VIS. Ở một nghiên cứu khác ông ta dùng phương pháp nhiễu xạ tia X thì thếy rõ trong phương pháp ion-implantation thì các ion V4+ thay thế Ti4+ trong mạng tinh thể của xúc tác rồi dẫn đến những biến tính trên. Nhưng ông ta lại không giải thích nguyên nhân vì sao việc thay thế ấy lại có thể làm TiO2 thể hiện hoạt tính xúc tác trong vùng VIS (band gap giảm). Mọi người giúp em tìm hiểu vấn đề này, hay có tài liệu thì send cho em.
Ngoài ra, cũng trong article trên, ông Anpo cũng so sánh phương pháp trên với phương pháp TiO2 impregnated or chemically doped with ion Cr. Ông ta thấy rằng bằng phương pháp thứ 2 ko những ko làm tăng hoạt tính TiO2 trong vùng VIS mà còn làm giảm hoạt tính trong vùng UV. Phổ UV cho thấy mũi hấp thu cao nhất ko dịch chuyển bước sóng nhưng có 1 tín hiệu mũi vai nhỏ ở 420nm, điều này là do sự hình thành "the impurity energy level with band gap". Hoạt tính xúc tác giảm là do = phương pháp này, sẽ có sự tái kết hợp nhanh hole và e, "quick recombination of the e and hole through the impurity energy level formed by the doped metal ion within the band gap of catalyst". Em ko hiểu rõ lắm sự khác biệt của phương pháp thứ 2 này và phương pháp thứ 1. Với lại có mâu thuẩn không khi những bài trước mọi người nói rằng việc hình thành impurity energy sẽ làm giảm band gap và chuyển hoạt tính TiO2 về vùng VIS. Mọi người giúp em giải quyết 2 vấn đề này nha.
Em sang http://www.compchem.hcmuns.edu.vn/ch...=7115#post7115 kéo xuống bài post 46 anh có nói một ít về biến tính TiO2. ANh đã định làm luôn review về cái nì nhưng lười quá lại thôi.
Em phải phân biệt cho rõ, impurity energy có thể làm giảm band gap, nhưng hoạt tính TiO2 còn phụ thuộc vào việc tái kết hợp e và lỗ trống nữa. Nhìn được điểm này, em sẽ hiểu 2 vấn đề mà em nêu ra (xem thêm bên thread mà anh đã đưa link cho em). Lúc trước bên thread tổng quan TiO2, có thảo luận với aqhl và integchimie về vấn đề này nhiều rồi, hi vọng em đọc lại và thu được thông tin mong muốn.
Mấu chốt mà em cần để ý là "tại sao band gap giảm mà khả năng tái kết hợp e lỗ trống ko tăng lên mà lại giảm đi" --> e transfered!!!
Chúc em làm tốt.
Vậy còn nguyên nhân làm cho TiO2 hoạt tính trong vùng VIS = phương pháp ion-implantation thì sao anh? Ban đầu em nghĩ là do khi cấy các ion KL chuyển tiếp vào TiO2, các ion này sẽ thay thế các vị trí Ti4+ để hình thành các impurities, làm giảm band gap. Nhưng M.Anpo lại cho rằng việc có thể hoạt tính trong vùng VIS của TiO2 là do tương tác giữa ion KL và Ti4+, ko phải là do impurity energy.
Em trích nguyên văn cho mọi người xem:
These findings clearly show that the success in modifying the electronic state of TiO2 by metal ion-implantation, enabling the absorption of visible light even longer than 550nm, is closely associated with the strong and long-distance interaction which arises between the TiO2 and the metal ion implanted, and not by the formation of impurity energy levels within the band gap of the catalyst. While the impurity energy levels are appeared due to the formation of aggregated metal oxid clusters, which are often observeed in the chemical doping of metal ions and/or oxides.
sorry doremon mình cắt ngang xíu nhé !
Ông có rảnh thì có thể viết một bài nhỏ review về cấu trúc của TiO2 sau khi modified bằng những cách khác nhau trên được ko !!!
Thực sự tui cũng rất muốn nghiên cứu lý thuyết hòan chỉnh phần nào về lĩnh vực quang xúc tác, nhất là trên nền vật liệu TiO2, muốn tham gia thảo luận với anh em, nhưng đến giờ vẫn chưa ngẩm được sự khác nhau giữa hai lọai cấu trúc vật liệu sau khi "doped" hay "implantation" !
Nói rõ hơn về hai term này, và các term liên quan đến mỗi lọai modified vật liệu theo các cách khác giúp mình nhé !
thanks all !
To doremon: ANh đã nói với em rồi, imputities có thể làm giảm band gap nhưng việc band gap không có nghĩa làm tăng hoạt tính xúc tác do band gap giảm cũng làm cho khả năng tái kết hợp e-hole tăng lên, đúng không???? Mấu chốt là: band-gap giảm + khả năng giảm việc tái kết hợp e-hole.
Tuy nhiên, hoạt tính có thể tăng trong khi band-gap không đổi, đó là khả năng tái kết hợp giảm. Khi biến tính TiO2 với cation, vấn đề bề mặt và vị trí cation trong mạng TiO2 cũng là yếu tố quan trọng, tốt nhất là trên bề mặt của TiO2, nếu cation đi vào sâu trong cấu trúc, nó lại trở thành trung tâm để e và lỗ trống kết hợp dẫn đến hoạt tính giảm. Vì vậy luôn luôn có một nồng độ tối ưu khi biến tính, vượt qua ngưỡng đó, hoạt tính sẽ giảm.
Trở lại câu hỏi của em, band gap giảm có thể không phải do impurities mà do tương tác ion với Ti làm thay đổi CB trong khi VB vẫn không thay đổi. Và có một cơ chế làm giảm khả năng tái kết hợp e và hole ở đây nữa.
Về việc đưa band gap về vis, em xem thêm về composite semiconductors nữa nhé.
To Nguyencyberchem: Đúng như anh nói, việc thay đổi hoạt tính xúc tác của TiO2 ko chỉ dựa vào band gap mà còn dựa vào khả năng tái kết hợp của hole và e nữa. Cụ thể là trong việc sử dụng TiO2 ở quantum-size, dưới ảnh hưởng của hiệu ứng lượng tử, band gap tăng nhưng hoạt tính của TiO2 vẫn tăng. Điều này theo em được giải thích là do khi ở kích thước lượng tử (<100A), diện tích bề mặt tăng cao, các e và hole có thể dễ dàng và nhanh chóng phân tán trên bề mặt của xúc tác, và hình thành những vùng hoạt tính, làm tăng hoạt tính của TiO2.
Trở lại vấn đề về implantation method, vậy theo anh rốt cuộc nguyên nhân nào làm tăng hoạt tính của TiO2 khi doping ion V hay Cr vào TiO2, ý trên của anh em thấy chung chung quá (CB thay đổi như thấ nào mà làm giảm band gap), và cơ chế mà anh nói làm giảm khả năng tái kết hợp e và hole trên là cơ chế nào vậy. Anh trả lời giùm em hoặc có thể gửi lên diễn đàn article nào nói về vấn đề trên giúp em.
nguyencyberchem
bluemonster
.gif "Matcuoi (101)")
Linear Mode
